HEMT及其界面态效应的二维数值模拟

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：jieminglin

【摘要】

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本文提出了一个调制掺杂异质结界面态模型,并首次将界面态效应引入到HEMT的二维数值模型中.本文用基于异质结漂移-扩散模型建立的 HEMT二维数值模型对常规结构的 AlGaAs/GaAs

【作者】

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相奇罗晋生

【机构】

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西安交通大学微电子技术研究室,西安交通大学微电子技术研究室西安710049,西安710049,西安710049

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

1991年8期

【关键词】

：

HEMT 调制掺杂异质结界面数值

【基金项目】

：

国家教委博士点基金

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本文提出了一个调制掺杂异质结界面态模型,并首次将界面态效应引入到HEMT的二维数值模型中.本文用基于异质结漂移-扩散模型建立的 HEMT二维数值模型对常规结构的 AlGaAs/GaAs HEMT进行了模拟,讨论了 HEMT的内部工作机制,特别是异质结效应.本文着重模拟分析了HEMT中界面态对器件性能的影响。模拟结果表明界面态对HEMT的特性有显著的影响.更多还原

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