【摘 要】
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通过研究密码芯片SRAM存储单元构造,利用激光改变进行运算的SRAM存储单元的逻辑状态,分析光注入对SRAM存储单元的影响。以Montgomery乘的RSA-CRT数字签名算法为攻击对象,分析
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通过研究密码芯片SRAM存储单元构造,利用激光改变进行运算的SRAM存储单元的逻辑状态,分析光注入对SRAM存储单元的影响。以Montgomery乘的RSA-CRT数字签名算法为攻击对象,分析其算法的实现过程和故障注入机理。针对密码芯片实现的8位RSA-CRT签名算法,使用半导体激光作为注入光源,搭建光注入实验平台,在计算Sq时刻进行故障注入,从而得到故障签名,通过分析故障签名与N的关系,成功的获得了大素数q,验证了光故障攻击的有效性。
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