功率PHEMT器件大信号建模

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提出一种新的、可同时适用于GaAs、GaN基PHEMT/HEMT/HFET器件大/小信号等效电路模型。沟道电流模型方程连续、可导,可精确拟合实际器件正、反向区、截止区以及亚阈值区特性,且漏导精确,主结构跨导至少可精确拟合至3阶。电荷方程在实现连续、高阶可导且导数精确的基础上,满足电荷守恒规律。模型综合考虑了器件弱雪崩击穿以及热效应特性,对器件跨导频率分布效应也作了灵活的考虑。模型以Verilog-A语言描述,并开发为DesignKit形式嵌入ADS2005A中。给出了对一GaAs基PHEMT器件建模结果,
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