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金属有机化学气相沉积(MOCVD)是一门制备薄膜材料的关键技术.该技术所制备的薄膜材料主要应用于微电子及光电子领域,因此对材料的质量、厚度的均匀性要求非常严格.影响薄膜质量的关键因素之一是MOCVD反应器内部的流动和传热问题,而反应器的结构是影响流场的一个重要的因素.因此本文主要介绍了MOCVD反应器的结构及优化设计,描述了反应器内部数学模型及其边界条件,从而考察了反应器结构及操作工艺条件对薄膜生长均匀性的影响.