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通过分析CVD金刚石膜的结构,对CVD金刚石膜的场发射机制进行了研究.结果表明金刚石膜内含有一定数量的石墨,当电子通过石墨时从石墨的电场中获得能量增大了电子隧穿金刚石晶粒的系数,据此提出了金刚石膜内石墨相增强电子隧穿金刚石颗粒以增强金刚石膜场电子发射的机制,并且根据该机制解释了一些实验现象.
CVD金刚石膜场发射机制的探讨
【摘 要】
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通过分析CVD金刚石膜的结构,对CVD金刚石膜的场发射机制进行了研究.结果表明金刚石膜内含有一定数量的石墨,当电子通过石墨时从石墨的电场中获得能量增大了电子隧穿金刚石晶
【机 构】
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重庆大学理学院
【出 处】
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重庆大学学报(自然科学版)
【发表日期】
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2001年4期
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