【摘 要】
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采用直流溅射法在Y2O3/Y S Z/C e O2（Y Y C）缓冲层的织构N i W基带上,通过基片温度调制YBa2Cu3O7-δ（YBCO）外延薄膜生长。X射线衍射仪（XRD）表征显示,基片温度强烈地影响YBCO薄膜的
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
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采用直流溅射法在Y2O3/Y S Z/C e O2（Y Y C）缓冲层的织构N i W基带上,通过基片温度调制YBa2Cu3O7-δ（YBCO）外延薄膜生长。X射线衍射仪（XRD）表征显示,基片温度强烈地影响YBCO薄膜的外延生长：在较低的基片温度下薄膜趋于a轴取向生长,随基片温度升高薄膜逐渐变为纯c轴取向生长。由于a轴晶粒引起的大角度晶界会阻碍超导电流在a-b面内的传输,因此YBCO薄膜的微观结构和超导电性能随温度升高而得到改善,但是随着基片温度继续升高,基带的氧化程度加剧,YBCO与缓冲层间发生界面反
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