【摘 要】
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IDT公司推出四种全新3.3V同步双端口SRAM元件,包括36位1Mbit双端口芯片。该新型100MHz双端口存储器的数据存取速度为5ns,同时拥有更大的密度和总线宽度。适用于效能要求高、
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IDT公司推出四种全新3.3V同步双端口SRAM元件,包括36位1Mbit双端口芯片。该新型100MHz双端口存储器的数据存取速度为5ns,同时拥有更大的密度和总线宽度。适用于效能要求高、数据密度大的应用,如LAN/WAN交换器和路由器、RAID控制器和蜂窝基地站。 该类双端口存储器产品拥有一个同步界面,每端口各有独立的时钟,可各自运行于不同的频率。该元件在每端口分别有边界溢出(full-boundary)
IDT Corporation introduced four new 3.3V synchronous dual-port SRAM devices, including 36-bit 1Mbit dual-port chip. The new 100MHz dual-port memory data access speed of 5ns, at the same time have a greater density and bus width. Suitable for high performance, data density applications such as LAN / WAN switches and routers, RAID controllers and cellular base stations. This dual-port memory products have a synchronization interface, each port has its own separate clock, each running at a different frequency. This component has a full-boundary on each port,
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