【摘 要】
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在2 kW微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)装置中,采用CH4和H2作气源,在最佳生长工艺参数条件下,可重复制备出高质量的金刚石薄膜。金刚石薄膜晶粒表面平滑,无二次形核,晶粒取
【机 构】
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武汉工程大学等离子体化学与新材料重点实验室,中国科学院等离子体物理研究所
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在2 kW微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)装置中,采用CH4和H2作气源,在最佳生长工艺参数条件下,可重复制备出高质量的金刚石薄膜。金刚石薄膜晶粒表面平滑,无二次形核,晶粒取向单一,薄膜致密性好,而且金刚石拉曼峰的半高宽(FWHM)为7.5 cm-1左右,接近异质外延CVD金刚石膜中FWHM的最小值。在研究中用硅片做基底,分别在不同形核密度条件下进行金刚石薄膜的生长,从而进行形核密度对金刚石薄膜质量,晶粒取向以及薄膜表面形貌影响的研究。研究结果表明在合适的生长条件下,形核密度对金刚石薄膜的表面形貌影响较小,但对其质量有一定的影响。
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