溅射工艺参数对BST薄膜介电常数的影响

来源 :电子元件与材料 | 被引量 : 0次 | 上传用户：vincent1115

【摘要】

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采用射频磁控溅射法在ITO玻璃基片上制备了约700 nm的Ba03Sr0.5TiO3(BST)薄膜.研究了溅射功率、气压、ψ[O2/(Ar+O2)]比和基片温度对εr的影响,获得各种溅射条件下的薄膜的ε

【作者】

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林明通肖田楼均辉陈国荣杨云霞

【机构】

：

上海广电电子股份有限公司平板中心,上海广电电子股份有限公司平板中心,华东理工大学材料科学与工程学院

【出处】

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电子元件与材料

【发表日期】

：

2005年7期

【关键词】

：

无机非金属材料射频磁控溅射 BST薄膜沉积速率介电常数 inorganic non-metallic materials rf magnetron spu

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采用射频磁控溅射法在ITO玻璃基片上制备了约700 nm的Ba03Sr0.5TiO3(BST)薄膜.研究了溅射功率、气压、ψ[O2/(Ar+O2)]比和基片温度对εr的影响,获得各种溅射条件下的薄膜的εr为250～310.提出了较优的工艺,即本底真空1.5×10-3Pa、靶基距6.2 cm、功率300W、气压1.8Pa、ψ[O2/(Ar+O2)]为30%和衬底温度500℃,并研究了薄膜的晶相、组成和形貌.

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