【摘 要】
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利用自洽格林函数计算,研究了过渡金属原子的d轨道电子与半导体表面的相互作用,其中半导体用S-P杂化原子链模型来描述。采用Anderson-Newns模型来处理d轨道电子间的库仑排斥
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利用自洽格林函数计算,研究了过渡金属原子的d轨道电子与半导体表面的相互作用,其中半导体用S-P杂化原子链模型来描述。采用Anderson-Newns模型来处理d轨道电子间的库仑排斥作用。结果表明,不存在像Haldane-Anderson结果所表现的那种当过渡金属杂质在半导体内时杂质原子束缚多个电子或空穴而其真实电荷改变不超过小数级的现象,详细讨论了磁解及非磁解存在的条件及解的特征。发现与金属表面吸附的情形很不相同,对半导体情形费米能级附近局域态对磁解的存在起决定性作用。此外对费米能级处的Shockley表
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