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采用第一性原理方法，模拟了应变对四方相BaTiO3（BTO）空位形成能的影响，并计算了应变和双空位共同作用下BaTiO3体系的极化．计算结果表明，应变改变了空位形成能，且在-3％到3％的应变范围内，氧空位的形成能逐渐减小，亦即压应变抑制了氧空位的形成，这与Ti-O键的变化有关．此外压应变在改变双空位形成能的同时，增大了体系的极化和极化偏移，对于1A和2A组合的双空位即使在-3％的应变下其极化偏移也只有1μC／cm2和O．3μC／cm^2，而极化偏移是印记效应的表现，因此应变对印记效应的影响很小，可以忽略．