【摘 要】
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求解电子动量与能量平衡方程和Poisson方程对具有半微米长的N~+-p-N~+GaAs弹道结构进行了计算,并考虑了弛豫时间和有效质量与能量的关系。计算结果与已报导的实验数据相符。
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,华盛顿Howard大学
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求解电子动量与能量平衡方程和Poisson方程对具有半微米长的N~+-p-N~+GaAs弹道结构进行了计算,并考虑了弛豫时间和有效质量与能量的关系。计算结果与已报导的实验数据相符。
The electron momentum and energy balance equations and the Poisson equation were used to calculate the N ~ + -p-N ~ + GaAs ballistic structure with a half-micron length, and the relationship between relaxation time, effective mass and energy was taken into account. The calculated results are consistent with the reported experimental data.
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