【摘 要】
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以Ti35Nb合金为基材，通过阳极氧化和中温热处理制备了Nb掺杂TiO2纳米管阵列。通过掩模版和磁控溅射技术在纳米管阵列表面形成了Pt电极，随后在低浓度H2气氛中测试了Nb掺杂TiO2纳
【机 构】
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上海交通大学材料科学与工程学院微电子材料与技术研究所金属基复合材料国家重点实验室,中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室
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以Ti35Nb合金为基材，通过阳极氧化和中温热处理制备了Nb掺杂TiO2纳米管阵列。通过掩模版和磁控溅射技术在纳米管阵列表面形成了Pt电极，随后在低浓度H2气氛中测试了Nb掺杂TiO2纳米管阵列的氢敏性能。实验结果表明阳极氧化温度是影响纳米管生长的一个重要因素，在阳极氧化电压为15V和阳极氧化温度为30℃的奈件下可以获得均匀开口的非晶纳米管阵列。将非晶纳米管在450℃热处理后可以获得锐钛矿结构纳米管阵列。氢传感实验结果表明，Nb掺杂TiO2纳米管对低浓度气氛具有室温氢敏特性。以上实验结果表明，通过合金化设
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