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本文从单分子的水平上，详细分析并模拟了不同偏振光下的单个荧光分子的成像，指出荧光成像强度的差别是由分子的纵向位置及跃迁偶极矩的取向共同决定的。给出了确定荧光分子偶极矩取向的方法，并在此基础上给出了重构分子间纵向间隔的公式。
偏振光激发的单分子荧光纵向成像研究
【摘 要】
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本文从单分子的水平上，详细分析并模拟了不同偏振光下的单个荧光分子的成像，指出荧光成像强度的差别是由分子的纵向位置及跃迁偶极矩的取向共同决定的。给出了确定荧光分子偶极
【机 构】
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中国科学院上海光学精密仪器研究所强光光学开放实验室
【出 处】
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激光生物学报
【发表日期】
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2004年3期
【基金项目】
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上海市科学技术发展基金(01DHGK018),,国家自然科学基金(60078025),,国家科技部重大基础研究基金(G1999075200),,国家基础研究发展规划(2002CB713808)
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