【摘 要】
：
本文介绍了进行高铅玻璃通道电子倍增器(CEM)稳定性试验的方法与结果,得到了总累计计数约10~(11)的寿命数据。用俄歇电子能谱仪分析了疲劳的CEM的活性表面结构与成份,发现了寿命试验过程中活性表面上碳的增加是CEM增益下降的主要原因,碳层的厚度约为50左右。为了提高CEM的耐烘烤性能,我们还研究了烘烤温度对增益和分辨率的影响,以及烘烤温度与还原温度的某些关系,发现在保持一定电阻率的条件下,还原温
论文部分内容阅读
本文介绍了进行高铅玻璃通道电子倍增器(CEM)稳定性试验的方法与结果,得到了总累计计数约10~(11)的寿命数据。用俄歇电子能谱仪分析了疲劳的CEM的活性表面结构与成份,发现了寿命试验过程中活性表面上碳的增加是CEM增益下降的主要原因,碳层的厚度约为50左右。为了提高CEM的耐烘烤性能,我们还研究了烘烤温度对增益和分辨率的影响,以及烘烤温度与还原温度的某些关系,发现在保持一定电阻率的条件下,还原温度越高,CEM的耐烘烤温度也越高。
其他文献
本文首先对斐波那契数进行推广,然后对文献[1]中提出的递推算法进行了抽象,找到了可以描述这一算法的产生式和递推关系,从而首次求得了两种最大平面图中哈密顿圈的计数公式。
本文扼要地介绍了测量磁场的各种电测方法并作了比较。详细论述了测量偏转线圈磁场的原理及方法。提出了三探针的测场机构及切实可行的测量装置。测出了电视偏转线圈的磁场参数曲线H_0(z)、H_2(z)及H_4(z)。
本文介绍了用双线圈测量偏转磁场的方法。文中首先导出双线圈处于x(或y)轴任意两个位置求算场参数H_0、H_2、H_4的普遍公式。当两个小线圈的灵敏度稍有差异时,该公式仍然有效。利用沿x(或y)轴测得的一系列数据进行回归分析,求得场参数的最佳拟合值,可适用于离轴较远的距离。
本文简要地描述了Gyrotron的缓变截面开放式谐振腔的理论,并考虑到衍射输出口均匀波导段的影响。本文具体讨论了双圆锥型开放式谐振腔。给出了8mm波段H_(02)模双圆锥开放腔的设计原则(可用于任何圆电模)和设计参数。实验结果表明设计基本上是良好的。
本文叙述了一种微带天线阵的设计方法。给出了微带天线(元)分析表达式以及天线阵输入导纳近似公式。设计了两个天线阵。它的副瓣、驻波比、交叉极化、增益等都是较好的。从而验证了本方法的正确性。
本文定义了一种二分图,称之为互补划分图。利用此图容易证明有关互补划分的定理,并可得到一个判别是否是本性互补划分的较弱的条件。
本文研究了横向及纵向动量离散对电子迴旋谐振脉塞的影响。文中求得了扰动分布函数的一般表达式和TEmn模的任意次迴旋谐波与电子注互作用的色散方程。作为两种特例,即当动量离散趋于零和m=0时,本文结果与有关文献基本一致。
本文用集总等效网络的观点对速调管双间隙输出段间隙阻抗系数的分布和变化规律进行了分析。文中讨论了等效电路的选择,从各部件给出的参数来推算系统的阻抗分布并从冷测到的间隙自身阻抗系数来推算转移阻抗系数和各部件的高频参数。
一种常用的典型检波器电路如图1所示。该电路的电压响应特性曲线底部有弯曲见图2。若用这种检波器来检测高频脉冲信号,有可能严重地影响测量脉冲包络各参量的精度。图3示出了输入高频信号为钟形调制时的失真情况。
基片磁化状态是影响非互易闭锁式铁氧体微带移相器性能的主要因素之一。提高基片剩余磁化强度,增大器件“闭锁态”的磁化强度4πM与基片饱和磁化强度4πM_s的比值R(=4πM/4πM_s),对于降低器件插入损耗、提高相移效率、扩展频宽、减小驱动功率等均是有利的。文中还分析比较了不同的磁化方式,并给出了单位和多位器件的主要性能。