【摘 要】
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基于 4H SiC材料特性 ,建立了 4H SiCpn结型二极管的击穿模型 .该模型在碳化硅器件中引入雪崩倍增效应和隧穿效应 .利用该模型 ,分析了隧穿效应对器件击穿特性的影响 ;解释了
【机 构】
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西安电子科技大学微电子所,西安电子科技大学微电子所,西安电子科技大学微电子所 西安710071,西安710071,西安710071
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基于 4H SiC材料特性 ,建立了 4H SiCpn结型二极管的击穿模型 .该模型在碳化硅器件中引入雪崩倍增效应和隧穿效应 .利用该模型 ,分析了隧穿效应对器件击穿特性的影响 ;解释了不同的温度和掺杂条件下 ,器件的击穿机理 .该模型较好地反映了实际器件的击穿特性
Based on the properties of 4H SiC material, a breakdown model of 4H SiCpn junction diode is established, which introduces an avalanche multiplication effect and a tunneling effect in the SiC device. By using this model, the tunneling effect on the breakdown characteristics of the device is analyzed The breakdown mechanism of the device under different temperature and doping conditions is explained. The model better reflects the breakdown characteristics of the actual device
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