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MOS结构深能级瞬态谱的测试与分析
MOS结构深能级瞬态谱的测试与分析
来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zjkghost10
【摘 要】
:
叙述了一种采用MOS结构研究半导体深能级陷阱的深能级瞬态谱(DLTS)测试与分析方法。该方法简便易行,适用范围广。通过对n-Al_(0.2)Ga_(0.8)As中深能级的研究表明,MOS结构和p~
【作 者】
:
陈诺夫
张若愚
华庆恒
【机 构】
:
河北工学院电气工程系,天津电子材料研究所
【出 处】
:
固体电子学研究与进展
【发表日期】
:
1992年2期
【关键词】
:
深能级
MOS结构
肖特基势垒
瞬态谱
Deep Levels
MOS Structure
Schottky Barrier
Deep Level Tran
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叙述了一种采用MOS结构研究半导体深能级陷阱的深能级瞬态谱(DLTS)测试与分析方法。该方法简便易行,适用范围广。通过对n-Al_(0.2)Ga_(0.8)As中深能级的研究表明,MOS结构和p~+-n结构的DLTS结果相同。
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