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在芯片制造工艺中,参数扰动影响了集成电路（Integrated Circuit,IC）成品率,使不同参数成品率间存在着此消彼长的相互制约关系,而目前IC参数成品率优化算法却主要局限于单一优化目标问题.本文提出一种基于工艺参数扰动的参数成品率多目标优化算法.该算法针对漏电功耗成品率及芯片时延成品率,首先构建具有随机相关性的漏电功耗及芯片时延统计模型;随后根据其相互制约特性建立基于切比雪夫仿射理论的参数成品率多目标优化模型;最后利用自适应加权求和得到分布均匀的帕雷托优化解.实验结果表明,该算法对于具有不同测试