【摘 要】
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经聚硅氧烷裂解转化得到碳化硅粉体,然后对其进行氯化处理得到炭,再通过CO2活化处理得到具有高比表面积(1 316.8～1 929.0 m2·g-1)的微孔炭（SiC-DC）材料。研究了CO2活化温度、时
【机 构】
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陆军工程大学爆炸冲击防灾减灾国家重点实验室; 国防科技大学新型陶瓷纤维及其复合材料国防科技重点实验室;
【基金项目】
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Natural Foundation of Jiangsu Province,China(BK20170754)~~
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经聚硅氧烷裂解转化得到碳化硅粉体,然后对其进行氯化处理得到炭,再通过CO2活化处理得到具有高比表面积(1 316.8～1 929.0 m2·g-1)的微孔炭（SiC-DC）材料。研究了CO2活化温度、时间对SiC衍生多孔炭结构的影响。采用氮气吸附法、X-ray衍射光谱（XRD）、扫描电镜（SEM）及透射电镜（TEM）等技术对SiC-DC样品微观结构随活化温度、时间演变进行表征分析。结果表明,CO2活化处理可以有效调控SiC-DC的孔结构,而对其结晶性影响很小,且活化处理后样品保持着SiC粉体或未活化SiC-DC样品的原有形态和微观结构（如石墨带）。对于已活化SiC-DC样品,比表面积（SSA）、总孔容(Vtot)及微孔孔容都随活化温度、时间增加而增加,但同时活化产率逐渐降低。相比未活化样品,SiC-DC在950℃条件下活化处理2 h后,SSA和Vtot值分别增加了46.5%、86.4%,主要原因是经活化处理,微孔孔容明显增加。
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