【摘 要】
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金属铌的超导转变温度高,在超导电子学和超导量子电路中有着广泛的应用.铌膜通常采用常规磁控溅射设备进行制备.为了改善铌膜的质量,利用超高背景真空的磁控溅射设备进行铌膜
【机 构】
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材料科学姑苏实验室,中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米真空互联实验站
【基金项目】
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江苏省自然科学基金(BK20180255),中国科学院青年创新促进会项目(2019319),中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所自有课题(Y9AAD110)。
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金属铌的超导转变温度高,在超导电子学和超导量子电路中有着广泛的应用.铌膜通常采用常规磁控溅射设备进行制备.为了改善铌膜的质量,利用超高背景真空的磁控溅射设备进行铌膜制备工艺的研究非常重要.结合真空分析表征、低温输运测量等技术系统性地研究了溅射参数对铌膜表面粗糙度和晶粒大小的调控,并分析了生长条件对铌膜超导转变温度和剩余电阻比的影响.利用硅上铌膜制备的共面波导谐振器,在10 mK温度,单光子激励下,本征品质因子超过一百万,表明超高真空磁控溅射生长的铌膜微波损耗极低.
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