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提出了一种新型的通用低压轨至轨CMOS运放．该运放在整个输入共模电压范围内获得了恒定的跨导、摆率和恒定的高增益．所提出的电路有应用于深亚微米工艺的潜力，因为运放电路的运行不依赖于晶体管平方率或线性率的约束．因此该电路比较紧凑，适用于VLSI单元的应用．轨至轨CMOS运放采用DPDM CMOS混合信号工艺设计，模拟结果表明在整个输入共模电压范围内，跨导、摆率和增益的波动分别为1％，2．3％和1．36dB．在此基础上进行了版图设计和流片测试，版图面积为0．072mm^2，实际测试结果与模拟结果基本一致．