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研究了非故意掺杂和掺Si的n型GaN外延材料持续光电导的光淬灭．实验发现，非故意掺杂GaN的持续光电导淬灭程度远大于掺Si的n型GaN；撤去淬灭光后前者的持续光电导几乎没有变化，后者却明显减小；稍后再次加淬灭光，前者的持续光电导仍无变化，而后者却明显增加．作者认为两者持续光电导的形成都与空穴陷阱有关，用空穴陷阱模型解释了非故意掺杂GaN持续光电导的形成以及淬灭过程；掺Si的n型GaN的持续光电导是电子陷阱(杂质能级)和空穴陷阱共同作用的结果，并且在持续光电导发生的不同阶段其中一种陷阱的作用占主要地位。