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随着集成电路集成度的提高,器件间距不断减小,在GaAs MESFET中产生了一种被称为背栅效应的有害寄生效应.由于器件间距越来越小,某一个器件的电极可能就是另一个器件的背栅,背栅效应影响了集成电路集成度的提高,因此背栅效应在国内外引起了重视.本文介绍了背栅效应及其可能的起因.
GaAs MESFET中的背栅效应
【摘 要】
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随着集成电路集成度的提高,器件间距不断减小,在GaAs MESFET中产生了一种被称为背栅效应的有害寄生效应.由于器件间距越来越小,某一个器件的电极可能就是另一个器件的背栅,背
【机 构】
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河北工业大学电气信息学院
【出 处】
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半导体情报
【发表日期】
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2001年5期
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