【摘 要】
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随着超大规模集成电路（VLSI）的特征尺寸不断缩小,在后段铜互联工艺中,为降低接触电阻（RC）延迟的影响,后段集成普遍采用低介电常数材料的双大马士革互连工艺。其中金属硬质掩模一
【基金项目】
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上海市经济和信息化委员会软件和集成电路产业发展专项基金（2015.150204）
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随着超大规模集成电路（VLSI）的特征尺寸不断缩小,在后段铜互联工艺中,为降低接触电阻（RC）延迟的影响,后段集成普遍采用低介电常数材料的双大马士革互连工艺。其中金属硬质掩模一体化刻蚀工艺是迄今为止最为先进的工艺,即能解决传统工艺中所固有的低介电层顶部圆滑化,沟槽间的低介电层厚度变薄,又能解决侧壁角度变小等问题。但是金属阻挡层的引入以及金属沟槽和通孔同时刻蚀的进行,使得产生的聚合物更加复杂,金属互联沟槽关键尺寸受到影响更大。通过收集量产数据,对量产品的关键尺寸偏差和产品图形属性相关性进行分析,得到了刻蚀后
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