85Rb原子D2线饱和吸收谱稳定半导体激光频率

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用780nm AlGaAs半导体激光器和差分放大技术,观测了~(85)Rb原子D_2线(5S_(1/2)-5P_(3/2))B分量(5S_(1/2),F=2→5P_(3/2),F=1,2,3)的消多普勒饱和吸收谱。利用一阶导数和三阶导数稳频技术,实现了对AlGaAs半导体激光的稳频,对于1s和10s的取样时间,频率稳定度可达10~(-10)~10~(-11)。 Using 780nm AlGaAs semiconductor laser and differential amplification technology, the B component (5S_ (1/2)), F = 2 → 5P_ (3/2), F = 1,2,3) of the Doppler saturation absorption spectrum. The first-order derivative and the third-order derivative frequency-stabilized technique are used to realize the frequency stabilization of the AlGaAs semiconductor laser. The sampling frequency is 10 ~ (-10) ~ 10 ~ (-11) for 1s and 10s sampling time.
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