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采用脉冲激光沉积法制备了斜方相Sc2W3O12薄膜。利用X射线衍射仪（XRD）和场发射扫描电镜（FESEM）对Sc2W3O12靶材和Sc2W3O12薄膜组分、表面形貌和靶材断面形貌进行表征,研究衬底温度与氧分压对薄膜制备的影响。采用变温XRD和热机械分析仪（TMA）分析了Sc2W3O12陶瓷靶材和薄膜的负热膨胀特性。实验结果表明：经1000℃烧结6 h得到结构致密的斜方相Sc2W3O12陶瓷靶材,其在室温到600℃的温度范围内平均热膨胀系数为–5.28×10^-6 K^-1。在室温到500℃衬底