【摘 要】
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在深亚微米的工艺条件下,随着栅氧厚度、结深、沟道长度的减小,漏端最大电场强度增大,热载流子效应的影响变大,它对器件的寿命、可靠性等有很大影响。因此,要得到一个最佳的
【机 构】
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黑龙江科技学院电气与信息工程学院,清华大学微电子学研究所
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在深亚微米的工艺条件下,随着栅氧厚度、结深、沟道长度的减小,漏端最大电场强度增大,热载流子效应的影响变大,它对器件的寿命、可靠性等有很大影响。因此,要得到一个最佳的器件性能,通过对热载流子效应的分析,特别是通过对LDD MOS器件的模拟,分析了轻掺杂漏对热载流子效应的抑制作用,以及轻掺杂源漏的注入剂量和能量对器件的影响。通过分析我们可以看到：LDD结构通过两条途径来抑制热载流子效应：弱化漏端电场和使得漏端最大电场离开栅极。增大注入剂量对于提高电流驱动能力有好处,但在剂量达到约1×10^13cm^
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