三温区水平布里兹曼法生长大型砷化镓单晶

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一、前言西门子公司关于Ⅲ-Ⅴ族半导体的基本专利在专利公报公布以来已经17年了。自从该专利有效期届满,继锗、硅之后获得第三代半导体名称的砷化镓,已达到了轰动新闻的地步,在这种情况之下,研究砷化镓的人数已经远远超过研究In Sb的人数或许还会急剧增加。可是,同锗、硅、锑化铟相比, I. INTRODUCTION The basic patent of the Siemens Company on Group III-V semiconductors has been published in the Patent Gazette for 17 years. Since the expiration of the patent, following the germanium, silicon after the third-generation semiconductor name of gallium arsenide has reached a sensational news, in which case, the number of people studying gallium arsenide has far exceeded the study of In Sb The number of people may also increase dramatically. However, compared with germanium, silicon and indium antimonide,
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