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研究了掺Ｖ２Ｏ５对ＳｕＯ２元件电阻和稳定性的影响，掺杂后，稳定性提高但灵敏度下降；杂量〈０．５６Ｗ．％，电阻降低；掺杂量〉０．５６Ｗｔ％时，电阻上升，利用量子化学分析机理，结果表明：由于Ｖ＾５＋的掺入，提高了ＳｎＯ２晶胞前线轨道及材料的稳定性；在掺杂量少时，由于氧原子的空穴态和锡原子的电子态增加，使材料的电阻下降，在的掺杂量多时，因电子输运轨道受阻导致电阻增大。