【摘 要】
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本报告中所用符号的定义 S.F.M. 扫描电子显微镜(以下简称扫描电镜) 直流参数 I_(DSS)——饱和漏电流;源接地,在5伏漏偏压下常规测量。 g_m——跨导;漏电流随栅偏压的变化。
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本报告中所用符号的定义 S.F.M. 扫描电子显微镜(以下简称扫描电镜) 直流参数 I_(DSS)——饱和漏电流;源接地,在5伏漏偏压下常规测量。 g_m——跨导;漏电流随栅偏压的变化。 V_p——夹断电压;将漏电流减小到10微安所需的栅压。 V_(f1),V_(f2)——分别为0.1毫安和1毫安电流时的栅二极管正向电压。 BV_(RGS)——反偏压栅二极管击穿电压;将源和漏短路在一起,在10微
Symbol used in this report Definition S.F.M. Scanning Electron Microscopy (DSS) - Saturation leakage current; source grounded, routinely measured at 5 V drain bias. g_m - Transconductance; variation of drain current with gate bias. V_p - Pinch-off voltage; reduce the drain current to 10μA required gate voltage. V_ (f1), V_ (f2) - Gate-to-gate forward voltage at 0.1 mA and 1 mA, respectively. BV_ (RGS) - Reverse biased gate breakdown voltage; source and drain shorted together at 10 micro
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