低垂直发散角高亮度光子晶体半导体激光器

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针对现有边发射半导体激光器远场发散角大、光束质量差等问题,引入光子晶体人工微结构实现模式扩展和模场分离,改善了单芯片半导体激光器的性能,实现了高亮度高光束质量的激光输出。理论分析并模拟了光子晶体半导体激光器对光场的调控机制,并介绍了几种典型的光子晶体半导体激光器。在光子晶体激光器实现低垂直发散角的基础上,设计了不同的结构实现了大功率、单模、高亮度等特性的输出。实验验证了光子晶体能带效应在提高半导体激光光束质量、提高亮度等方面的调控作用,其能够突破普通半导体激光器面临的限制,有助于半导体激光更有效地应用在光纤激光器抽运和激光加工等领域,为半导体激光的直接应用奠定了基础。 Aiming at the problems of large divergence angle and poor beam quality of the existing edge emitting semiconductor laser, the photonic crystal artificial microstructure is introduced to realize mode expansion and mode field separation to improve the performance of the single-chip semiconductor laser and achieve high brightness and high beam quality Laser output. Theoretical analysis and simulation of photonic crystal semiconductor laser light field regulation mechanism, and introduces several typical photonic crystal semiconductor lasers. Based on the realization of low vertical divergence angle of photonic crystal laser, different structures are designed to realize the output of high power, single mode and high brightness. Experiments show that the bandgap effect of photonic crystal can be used to improve the quality of semiconductor laser beam and improve the brightness. It can overcome the limitations of ordinary semiconductor lasers and make it more effective for the application of laser diode in fiber laser pumping and laser processing And other fields, the direct application of semiconductor lasers laid the foundation.
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