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为解决闩锁效应,设计了一种新颖的异质结双极晶体管触发可控硅(NHTSCR).利用异质结晶体管串联反向异质结晶体管来分流SCR的方法,抑制电导调制效应,提高了维持电压.分析了提高NHTSCR维持电压的可行性,详述工作原理,并给出实现步骤.基于Sentaurus TCAD的仿真结果表明,该NHTSCR的维持电压从传统器件的1.34 V提高到3.72 V,在3.3V工作电压、0.35 μm SiGe BiCMOS工艺下,有效避免了闩锁效应.