基于提高有载Q的120 MHz低相噪晶体振荡器设计

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从反馈振荡#JLeeson模型相位噪声表达式出发,分析了有载Q的重要性,针对基本皮尔斯振荡电路推导出有载Q的表达式,得g,JcI越大,有载Q越高的结论。在此基础上设计了一个120MHzAT切低相噪晶体振荡器样机,经实际测试,该振荡器在偏离载频100Hz、220Hz、1kHz和底部相位噪声分别达到了一130dBc/Hz、一142dBc/Hz、一155dBc/Hz和小于一175dBc/Hz。结果表明,从提高有载Q出发对低相噪晶体振荡器进行设计是可行的。
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