【摘 要】
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基于密度泛函理论的第一性原理方法,计算了Se掺杂单层MoS2能带结构和光吸特性,并分析了对其光解水性质的影响。结果表明：本征单层MoS2为直接带隙结构,禁带宽度为1.740 e V,导
【机 构】
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太原理工大学信息工程学院新型传感器和智能控制系统教育部重点实验室微纳系统研究中心
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基于密度泛函理论的第一性原理方法,计算了Se掺杂单层MoS2能带结构和光吸特性,并分析了对其光解水性质的影响。结果表明：本征单层MoS2为直接带隙结构,禁带宽度为1.740 e V,导带底电位在H＋/H2还原势之上0.430 e V,价带顶电位在O2/H2O的氧化势之下0.080 e V,具有可见光催化分解水的能力,但氧化和还原能力不均衡,导致单层MoS2作为光催化剂分解水的效率不高。通过Se掺杂计算发现,单层MoS2的禁带宽度变为1.727 e V,相应的光吸收谱变化幅度几乎不变,且体系的形成能较低,表
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