【摘 要】
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在加热的BK7基板上,采用电子束蒸发(EB)工艺制备了一系列不同厚度的HfO2单层膜,对HfO2薄膜生长过程中的折射率非均质性进行了研究.光谱分析表明薄膜非均质性与其厚度息息相关
【机 构】
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同济大学先进微结构材料教育部重点实验室,上海200092;同济大学物理科学与工程学院精密光学工程技术研究所,上海200092;天津津航技术物理研究所天津市薄膜光学重点实验室,天津,300192
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在加热的BK7基板上,采用电子束蒸发(EB)工艺制备了一系列不同厚度的HfO2单层膜,对HfO2薄膜生长过程中的折射率非均质性进行了研究.光谱分析表明薄膜非均质性与其厚度息息相关.X射线衍射(XRD)测试表明不同非均质性薄膜对应不同的微观结构;薄膜的微观结构主要由薄膜的生长机制决定.当膜厚较薄时,薄膜不易结晶,呈无定形态,此时薄膜呈正非均质性.如果沉积温度足够高,则薄膜达到一定厚度后开始结晶,此后薄膜折射率就会逐渐下降.随着薄膜继续生长,薄膜晶态结构保持恒定不再变化,非均质性也会因此保持不变达到极值.
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