【摘 要】
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本文通过对BaAlBO3F2（BABF）晶体进行掺杂以增加晶体的双折射率，从而使BABF晶体的最短直接倍频波长紫移，拓宽其应用波段。研究发现Ga掺杂能够使BABF晶体的最短直接倍频波长从273nm
【机 构】
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中国科学院理化技术研究所,中国科学院大学
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本文通过对BaAlBO3F2（BABF）晶体进行掺杂以增加晶体的双折射率，从而使BABF晶体的最短直接倍频波长紫移，拓宽其应用波段。研究发现Ga掺杂能够使BABF晶体的最短直接倍频波长从273nm紫移至259．5nm，理论上能够实现四倍频（266nm）激光输出。采用优化的B2O3-LiF-NaF助熔剂体系，通过中部籽晶法生长出尺寸为25mm×20mm×10mm的Ba（Al，Ga）BO3F2晶体。对该晶体的透过光谱、光学均匀性、弱吸收、倍频匹配曲线、粉末倍频效应和激光损伤阈值的性能进行了
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