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从可靠性和功率增益两方面对现有硅双极功率晶体管镇流技术作了仔细分析，并提出了改进措施。结果表明，采用改进的复合镇流技术，不仅有效地防止热斑和电流二次击穿现象，提高了器件的可靠性和工作寿命，而且有助于提高器件的功率增益。
硅双极功率晶体管镇流技术的改进
【摘 要】
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从可靠性和功率增益两方面对现有硅双极功率晶体管镇流技术作了仔细分析，并提出了改进措施。结果表明，采用改进的复合镇流技术，不仅有效地防止热斑和电流二次击穿现象，提高了器件
【机 构】
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电子科技大学微电子科学与工程系
【出 处】
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电子科技大学学报
【发表日期】
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1999年5期
【基金项目】
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四川省应用基础研究专项基金
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