用微机对水闸 宽顶堰过流及消能的计算

来源 :东北水利水电 | 被引量 : 0次 | 上传用户:whbin139
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
文中就微机对水闸、宽顶堰过流及消能的水力计算程序及计算方法做了简要介绍.推荐的程序能够解决具有平板闸门的水闸及宽顶堰的水力计算问题.在输人原始数据的情况下,计算问(堰)包括闸孔自由与淹没出流,宽顶堰自由与淹没溢流,这样四种情况下的流量及其相应的单宽流量。对没有发生淹没式水跃的情况,进行消力池深度及消力池长度、海漫长度的计算。 In this paper, a brief introduction to the hydraulic calculation program and calculation method of overcurrent and energy dissipation of sluice and wide crest is given in this paper. The recommended procedure addresses the hydraulics of sluices and wide crews with slabs. In the case of inputting the original data, the calculation of the weir (weir) includes free and submerged gate flow, free and flooded overflow of broad weir, and the flow rate and its corresponding single-wide flow rate in the four cases. In the case of submerged water jump, the depth of the stilling pool and the length of the stilling pool and the length of the sea-length are calculated.
其他文献
从语言学角度讲,学一门语言是学一种文化,教一门语言也是教一种文化。英语教学目的是培养学生运用英语进行交际的能力。交际的能力不仅包括语言能力,而且包括对与语言使用密
在语言交流的过程中,不同民族的人能否互相沟通,不仅取决于他们对语言本身的理解,而且还取决于他们对语言所负载的文化意蕴的理解。只有深刻理解两种语言的文化差异,才能跨越语言鸿沟,从而使英语学习中的问题迎刃而解。很难想象,一个不具备英语国家社会文化背景知识的人能正确使用英语进行交际。英语教学是语言教学,当然离不开文化教育。     一、文化教育的重要性     1、文化差异是跨文化交际的障碍  今天,随
本文对水轮发电机定子新换位线棒的设计方法进行了分析比较,并提出了一些可供设计人员使用的新换位线棒设计计算公式。 This paper analyzes and compares the design metho
1.Introduction and Summary Over the last decade,there has been much empirical research on Chinese accounting conservatism.This research started with Ball,Robin
提出了廊道连接新的结构形式,把各种斜变形式的廊道都转化为等径相交和平底正交的简单形式,使得廊道连接处的体型简单又标准化;分析了廊道钢筋布置,找出了钢筋变化规律.解决了廊道
本文基于生成语法学、韵律句法学的理论背景,从语法和韵律两个方面考察汉语准谓宾动词带宾语的情况,研究表明:(1)就语法功能而言,准谓宾动词要求宾语必须是体词性成分而非谓
(2014年8月21日)沪府办发〔2014〕39号各区、县人民政府,市政府各委、办、局:市绿化市容局《关于推进本市立体绿化发展的实施意见》已经市政府同意,现转发给你们,请认真按照
1994年9月,国务委员陈俊生在全国水利工作会议上说,水利不仅是农业的命脉,也是国民经济和社会发展的命脉。……没有水利的发展,就会影响改革开放和社会的稳定。可见,水利事
在牡丹江上兴建大莲花水电站比小莲花水电站有如下优点:①具有多年调节性能,可使调节的入库流量由60.5m~3/s提高到119m~3/s,保证出力为55.8MW,比小莲花多38.2MW,并使下游梯级
A quantitative comparison of multiline TRL(thru-reflect-line) and LRM(line-reflect-match) on-wafer calibrations for scattering parameters(S-parameters) measurem