密集型源区正面通孔电镀热沉结构的18GHz 300mW GaAsMESFET

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本文简述了采用密集型源区正面通孔结构的CX911型砷化镓微波场效应晶体管的设计要点、结构特点以及主要制作技术及其实测性能。该器件在18GHz下,输出功率为300mW、增益大于4dB、最高输出功率为350mW,增益大于5dB。 This article describes the design of the CX911 GaAs microwave field-effect transistor with a dense source-side pass-through structure, its structural features, its main fabrication techniques, and its measured performance. The device at 18GHz, the output power of 300mW, gain greater than 4dB, the maximum output power of 350mW, gain greater than 5dB.
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