【摘 要】
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本文叙述了目前在研制功率GaAs FET过程中对器件的输出功率有比较重要影响的诸多因素,例如器件的几何结构、源引线寄生电感、热阻、击穿电压等等,以及对这些因素加以克服或限
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本文叙述了目前在研制功率GaAs FET过程中对器件的输出功率有比较重要影响的诸多因素,例如器件的几何结构、源引线寄生电感、热阻、击穿电压等等,以及对这些因素加以克服或限制的技术。折衷的结果将使所研制的器件具有良好的微波性能。
This article describes the current factors in the development of power GaAs FET devices on the output power of a number of factors such as the impact of the geometry of the device, the source lead parasitic inductance, thermal resistance, breakdown voltage, etc., and to overcome these factors Or limited technology. The compromise result will make the developed device have good microwave performance.
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