论文部分内容阅读
各向异性磁电阻（AMR）薄膜材料被广泛应用于磁传感器和硬盘的读出磁头中。器件的小型化要求AMR薄膜材料必须做得很薄。采用磁控溅射的方法在玻璃基片上制备了Ta／NiFe／Ta磁电阻超薄薄膜，将几个纳米厚的Al2O3层插入Ta／NiFe／Ta薄膜的Ta／NiFe界面，研究该插层对超薄NiFe薄膜性能的影响。结果表明：由于Al2O3层的“镜面反射”作用，适当厚度和结构状态的Al2O3层可以提高薄膜的磁电阻值，当NiFe薄膜厚度为5nm时，通过在界面处插入约2mm的Al2O3层，薄膜的磁电阻值从0．65％提高到了