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针对多晶太阳能电池片生产工艺中的扩散炉管间方阻均匀性问题,主要从酸制绒工艺的刻蚀深度及刻蚀反应温度2个方面对问题进行了分析。结果表明,刻蚀深度在（3.6±0.2）μm,温度控制在5.5℃7.5℃,0.2μm的刻蚀偏差调整扩散温度1℃,可以减少各个批次间的方阻偏差,从而提高电池片转换效率。
多晶硅酸制绒工艺对扩散方阻均匀性的影响
【摘 要】
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针对多晶太阳能电池片生产工艺中的扩散炉管间方阻均匀性问题,主要从酸制绒工艺的刻蚀深度及刻蚀反应温度2个方面对问题进行了分析。结果表明,刻蚀深度在（3.6±0.2）μm,温
【机 构】
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山西潞安太阳能科技有限责任公司
【出 处】
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山西化工
【发表日期】
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2017年3期
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