【摘 要】
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设计了一种基于多层硅转接板堆叠的垂直互联结构,对DC-60 GHz频段内不考虑和考虑硅表面SiO2层的两种层间结构的垂直互联仿真结果进行对比,证明了硅表面SiO2层存在会对谐振频率及阻抗等射频性能产生影响;对后者垂直互联结构进行参数优化,射频传输性能较好,频率40 GHz以下时回波损耗S11小于-30 dB,60 GHz以下整体S11小于-15 dB,插入损耗S12在50 GHz以下大于-0.32 dB;研究了硅表面SiO2绝缘层厚度变化对射频信号传输性能的影响,结果表明适当增加其厚度有助于垂直互联结构性
【机 构】
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北京遥测技术研究所,北京100094
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设计了一种基于多层硅转接板堆叠的垂直互联结构,对DC-60 GHz频段内不考虑和考虑硅表面SiO2层的两种层间结构的垂直互联仿真结果进行对比,证明了硅表面SiO2层存在会对谐振频率及阻抗等射频性能产生影响;对后者垂直互联结构进行参数优化,射频传输性能较好,频率40 GHz以下时回波损耗S11小于-30 dB,60 GHz以下整体S11小于-15 dB,插入损耗S12在50 GHz以下大于-0.32 dB;研究了硅表面SiO2绝缘层厚度变化对射频信号传输性能的影响,结果表明适当增加其厚度有助于垂直互联结构性能优化.
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