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用化学方法将两种光敏染料２，４＇－吡啶菁衍生物及噻－４＇－吡啶菁衍生物分别键合于单晶硅表面，对所得键合光敏染料之硅片进行了拉曼光谱及Ｘ－射线光电子能谱的测试，结果表明：两种光敏染料都被键合在单晶的光谱响应，与无覆盖抗反膜的硅Ｐ－ｎ结光电池的光谱响应曲线相比较，发现除在６５０ｎｍ处出现对应于硅衬的吸附峰外，在短波范围内出现与光敏染料的最大吸收相对应的吸收峰，由此见光敏染料的键合可拓宽半导体硅的光谱响