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本文报告了一种获得侧壁陡直的硅深槽新技术。实验中采用一种新材料－氮化锆作为反应离子刻蚀的掩模，所需掩模厚度约５００Ａ。采用氟基气体ＳＦ６作为刻蚀气体，并附加Ａｒ和Ｏ２，这样刻蚀过程中在槽的侧壁会形成氧化硅作为阻挡刻蚀层，结果得到了深约６μｍ侧壁垂直接近９０°的硅深槽。
一种新的硅深槽刻蚀技术研究
【摘 要】
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本文报告了一种获得侧壁陡直的硅深槽新技术。实验中采用一种新材料－氮化锆作为反应离子刻蚀的掩模，所需掩模厚度约５００Ａ。采用氟基气体ＳＦ６作为刻蚀气体，并附加Ａｒ和Ｏ２，这样刻蚀过程中在槽的侧
【机 构】
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北京大学微电子学研究所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1994年1期
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