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对内部无缺陷的单晶硅纳米级压痕过程进行了分子动力学仿真，从原子空间角度分析了单晶硅纳米级压痕过程的瞬间原子位置、作用力和势能等变化，解释了压痕过程.研究表明：磨粒逐渐向单晶硅片的逼进和压入，使得磨粒下方的硅晶格在磨粒的作用下发生了剪切挤压变形，磨粒作用产生的能量以晶格应变能的形式贮存在单晶硅的晶格中（即硅原子间势能），因此硅原子间势能随着力的增加而不断增加，当超过一定值且不足以形成位错时，硅的原子键就会断裂，形成非晶层，堆积在金刚石磨粒的下方.当磨粒逐渐离开单晶硅片时，非晶层原子进行重构，释放部分能量，从