电子俘获型材料Sr3SiO5∶Eu^2+,RE^3+(RE= Nd^3+,Ho^3+,La^3+)的光激励和长余辉发光性能的研究

来源 :光谱学与光谱分析 | 被引量 : 0次 | 上传用户:chen_2006tt
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通过高温固相法制备出系列电子俘获型材料Sr3 SiO5∶Eu^2+,RE^3+(RE= Nd^3+,Ho^3+,La^3+),并对其光激励和长余辉性能进行了研究。经过紫外光源激发后,利用980 nm激光照射时,表现出很强的上转换光激励信息读出响应,其归因于较深陷阱(438 K)的存在,这种性能在Sr3 SiO5∶Eu^2+,La^3+和Sr3 SiO5∶Eu^2+,Ho^3+两种材料表现尤为明显。随后,对陷阱的深度和载流子浓度进行了研究,并分析产生光激励性能的原因。热释光光谱中电子俘获参数的计算是通过Ch
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