拉制锑化铟单晶的新方法——“多次”拉晶

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已经证明,采用高温挥发和所谓“多次”拉晶的方法,可以有效地消除工艺过程沾污的影响,提高锑化铟单晶的纯度。一、前言众所周知,一般都采用直拉方法制备锑化铟单晶,目前,拉晶设备日趋完善, It has been demonstrated that the use of high temperature volatilization and so-called “multiple” crystal pulling can effectively eliminate the effects of process contamination and increase the purity of indium antimonide crystals. First, the preamble As we all know, are generally prepared by Czochralski indium antimonite single crystal, at present, crystal pulling equipment is maturing,
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