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采用直流与射频双靶共溅射的方法在玻璃衬底上制备Cu掺杂的ZnO薄膜，并研究了Cu的溅射功率以及氧分压对薄膜结构和光电性能的影响，利用 X 射线衍射仪（XRD）、紫外可见光分光光度计（UV-VIS）以及霍尔测试仪（HALL8800）分别对样品的结构、光学特性以及电学特性进行表征，结果表明，薄膜的结晶质量随Cu溅射功率的增大有所提高，超过一定范围开始降低，而透过率则一直减小，增大氧分压可以改善样品的透过率。 Cu的掺入使薄膜发生了由n型向p型的转变，且富氧条件下有利于这种转变。