【摘 要】
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本文对某些a-Si:H材料,在外电场作用下,电导随时间漂移的现象进行了测量和分析.实验发现,该效应与所施加的电场强度有明显关系.场致电导漂移还与场致热激电流峰的出现相联系,
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本文对某些a-Si:H材料,在外电场作用下,电导随时间漂移的现象进行了测量和分析.实验发现,该效应与所施加的电场强度有明显关系.场致电导漂移还与场致热激电流峰的出现相联系,按E_t=23KT计算,在较高电场(～2×10~3V/cm)作用下可出现两个能级,分别为E_c-E_t_1≈0.55ev与E_c-E_t_2≈0.62ev.文章最后对产生场致电导漂移的机理及它与Staebler-Wronski效应之间的关系进行了讨论.
In this paper, some a-Si: H materials, under the influence of external electric field, conductance with time drift phenomenon was measured and analyzed.Experiments found that the effect has an obvious relationship with the applied electric field strength.The field induced conductance drift also with the field The results show that there are two energy levels at E_t = 23KT, which are E_c-E_t_1≈0.55ev and E_c-E_t-1 at high electric field (~ 2 × 10 ~ 3V / cm) E_t_2≈0.62ev. Finally, the paper discusses the mechanism of field induced conductance drift and its relationship with Staebler-Wronski effect.
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